Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB085N06L G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB085N06L G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Подробное описание:
N-Channel 60 V 80A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803962
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB085N06L G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 125µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3500 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB085N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB085N06L G
HTML Спецификация
IPB085N06L G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB085N06LGINTR
IPB085N06LGINCT
IPB085N06LGXT
IPB085N06LGINDKR
SP000204190
IPB085N06L G-DG
IPB085N06LG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB75NF75LT4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
990
Номер части
STB75NF75LT4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.13
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR8314TRPBF
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
IPP65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
IPI80N06S407AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IRF7413Z
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO